Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT36HTF25672FY-53EB3E3是美光科技（Micron Technology）推出的一款高性能DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用240针双列直插式（DIMM）封装，符合JEDEC标准规范，专为需要高带宽和可靠数据吞吐量的计算平台设计。其核心基于先进的DDR2架构，通过4位预取和差分选通（DQS）技术，在核心时钟频率较低的情况下实现了较高的数据传输速率，有效平衡了性能与功耗。
该模块的数据传输速率达到533MT/s，对应核心时钟频率为133MHz，通过双倍数据速率技术，在时钟的上升沿和下降沿均可传输数据，从而实现了等效于266MHz的数据传输频率。2GB的总存储容量由多颗高密度DRAM芯片组成，内部采用多Bank架构，支持Bank Interleaving操作，能够显著减少访问延迟，提升多任务并发处理效率。模块内置片上终结（ODT）功能，可以优化信号完整性，减少主板布线的复杂性，并支持可编程的CAS Latency、Additive Latency以及写延迟，为系统时序调优提供了灵活性。
在接口与电气参数方面，该模块工作电压为标准的1.8V，相比前代DDR内存显著降低了功耗和发热。其采用SSTL_18（Stub Series Terminated Logic for 1.8V）接口标准，确保了高速信号传输的稳定性和抗干扰能力。模块支持突发长度（BL）为4或8的操作模式，并包含温度补偿自刷新（TCSR）和局部阵列自刷新（PASR）等高级电源管理功能，可根据工作状态动态调整功耗，适用于对能效有要求的应用环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的美光芯片代理获取该产品及相关服务。
这款内存模块主要面向企业级服务器、高性能工作站、网络通信设备以及需要大容量内存缓冲的存储系统。其稳定的性能和兼容性使其能够胜任数据中心虚拟化、数据库处理、科学计算等内存密集型任务。此外，其工业级的可靠性和验证流程也使其适用于对长期稳定运行有严苛要求的嵌入式系统与工业控制领域。
