Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
NAND01GW3B2CZA6E
制造厂商：美光半导体（Micron）
类别封装：存储器，产品封装：63-TFBGA
技术参数：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
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技术参数详情：
制造商产品型号：NAND01GW3B2CZA6E制造商：美光半导体（Micron）描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA产品系列：存储器包装：托盘系列：-零件状态：停产存储器类型：非易失存储器格式：闪存技术：闪存 - NAND存储容量：1Gb（128M x 8）存储器接口：并联时钟频率：-写周期时间-字，页：25ns访问时间：25ns电压-供电：2.7V ~ 3.6V工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）安装类型：表面贴装型产品封装：63-TFBGA现在可以订购NAND01GW3B2CZA6E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
