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MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR
产品参考图片
MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR
制造厂商:
美光半导体(Micron)
类别封装:
存储器,产品封装:63-VFBGA
技术参数:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
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技术参数详情:
制造商产品型号:MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR
制造商:美光半导体(Micron)
描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
产品系列:存储器
包装:卷带(TR)
系列:Automotive, AEC-Q100
零件状态:有源
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NAND(SLC)
存储容量:1Gb(128M x 8)
存储器接口:并联
时钟频率:-
写周期时间-字,页:20ns
访问时间:20ns
电压-供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
安装类型:表面贴装型
产品封装:63-VFBGA
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MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR
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