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MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR
产品参考图片
MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR
制造厂商:
美光半导体(Micron)
类别封装:
存储器,产品封装:-
技术参数:
IC FLASH 256GBIT PARALLEL 333MHZ
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技术参数详情:
制造商产品型号:MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR
制造商:美光半导体(Micron)
描述:IC FLASH 256GBIT PARALLEL 333MHZ
产品系列:存储器
包装:卷带(TR)
系列:-
零件状态:不用於新
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:闪存 - NAND
存储容量:256Gb(32G x 8)
存储器接口:并联
时钟频率:333MHz
写周期时间-字,页:-
访问时间:-
电压-供电:2.5V ~ 3.6V
工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
安装类型:-
产品封装:-
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MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR
,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。
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