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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT29F2G01ABBGD12-AATES:G TR
    产品参考图片
    MT29F2G01ABBGD12-AATES:G TR 图片
    MT29F2G01ABBGD12-AATES:G TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：24-TBGA
  • 技术参数：IC FLASH 2GBIT SPI 83MHZ 24TPBGA
  • （专注销售Micron美光电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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    MT29F2G01ABBGD12-AATES:G TR的技术资料下载
    专营Micron美光芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT29F2G01ABBGD12-AATES:G TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC FLASH 2GBIT SPI 83MHZ 24TPBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：Automotive, AEC-Q100
  • 零件状态：有源
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：FLASH - NAND（SLC）
  • 存储容量：2Gb（2G x 1）
  • 存储器接口：SPI
  • 时钟频率：83MHz
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：24-TBGA
  • 现在可以订购MT29F2G01ABBGD12-AATES:G TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • N25Q128A13ESEC0E
    N25Q128A13ESEC0E
    MT29F32G08AECCBH1-10Z:C
    MT29F32G08AECCBH1-10Z:C
    NP8P128AE3TSM60E
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    M58BW16FB4ZA3F TR
    M58BW16FB4ZA3F TR
    MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR
    MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR
    MT8HTF3264HY-40EB3
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    MT29F16G08AFABAWP-IT:B
    MT29F16G08AFABAWP-IT:B
    EDY4016AABG-DR-F-R TR
    EDY4016AABG-DR-F-R TR
    MT46H32M16LFBF-6 AAT:C
    MT46H32M16LFBF-6 AAT:C
    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
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