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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
    产品参考图片
    MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E 图片
    MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：162-VFBGA
  • 技术参数：IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
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    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：托盘
  • 系列：-
  • 零件状态：停产
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：FLASH，RAM
  • 技术：FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
  • 存储容量：4Gb（512M x 8）（NAND），2G（64M x 32）（LPDDR2）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：533MHz
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：1.8V
  • 工作温度：-25°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：162-VFBGA
  • 现在可以订购MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • MT51K256M32HF-50 N:A
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    MT29F128G08CFAAAWP-ITZ:A
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    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
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