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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT40A512M16LY-062E AUT:E TR
    产品参考图片
    MT40A512M16LY-062E AUT:E TR 图片
    MT40A512M16LY-062E AUT:E TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：96-TFBGA
  • 技术参数：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
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    MT40A512M16LY-062E AUT:E TR的技术资料下载
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    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT40A512M16LY-062E AUT:E TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 存储器类型：易失
  • 存储器格式：DRAM
  • 技术：SDRAM - DDR4
  • 存储容量：8Gb（512M x 16）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：1.6GHz
  • 写周期时间-字，页：15ns
  • 访问时间：19ns
  • 电压-供电：1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度：-40°C ~ 125°C（TC）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：96-TFBGA
  • 现在可以订购MT40A512M16LY-062E AUT:E TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • MT29F512G08CUCABH3-12:A
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    MT47H128M16RT-25E AIT:C
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    MT46V32M16BN-75 L:C
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    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
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