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    美光半导体代理 > > 美光芯片 > > MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR
    产品参考图片
    MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR 图片
    MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR
  • 制造厂商：美光半导体（Micron）
  • 类别封装：存储器，产品封装：216-WFBGA
  • 技术参数：IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGA
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    MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR的技术资料下载
    专营Micron美光芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案，美光半导体（Micron）授权中国代理商
    技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR
  • 制造商：美光半导体（Micron）
  • 描述：IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 存储器类型：易失
  • 存储器格式：DRAM
  • 技术：SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 存储容量：16Gb（256M x 64）
  • 存储器接口：-
  • 时钟频率：933MHz
  • 写周期时间-字，页：-
  • 访问时间：-
  • 电压-供电：1.2V
  • 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：216-WFBGA
  • 现在可以订购MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
    • EDB8164B4PK-1D-F-D
    EDB8164B4PK-1D-F-D
    MT28F008B3VP-9 B
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    MT29F1G08ABBDAHC:D
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    MT41K512M8DA-107 IT:P TR
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    MT29F64G8CBCBBH1-1:B TR
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    MT41J64M16JT-15E AIT:G TR
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    PZ28F032M29EWHA
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    MT46V32M16BN-6:C TR
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    EDFP164A3PD-JD-F-R TR
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    美光半导体代理-Micron公司Micron美光半导体授权代理商
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