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MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
产品参考图片
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
制造厂商:
美光半导体(Micron)
类别封装:
存储器,产品封装:376-WFBGA
技术参数:
IC DRAM 48GBIT 2133MHZ 376WFBGA
(专注销售Micron美光电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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技术参数详情:
制造商产品型号:MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
制造商:美光半导体(Micron)
描述:IC DRAM 48GBIT 2133MHZ 376WFBGA
产品系列:存储器
包装:卷带(TR)
系列:-
零件状态:有源
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
存储容量:48Gb(768M x 64)
存储器接口:-
时钟频率:2133MHz
写周期时间-字,页:-
访问时间:-
电压-供电:1.1V
工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
安装类型:表面贴装型
产品封装:376-WFBGA
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MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
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