EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

作为美光科技（Micron Technology）旗下移动LPDDR2 SDRAM产品线的重要成员，EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR采用先进的低功耗双倍数据速率2（LPDDR2）技术架构，专为满足现代移动和嵌入式设备对高性能与低功耗的严苛平衡而设计。其核心基于1Gb（64M x 16）的存储阵列，采用并联接口，在533MHz的时钟频率下运行，能够提供高效的数据吞吐能力，满足实时数据处理和高速缓存的需求。

该器件在功能设计上着重于能效优化与系统稳定性。其工作电压范围宽泛，支持1.14V至1.95V的供电，这使得它能够灵活适配不同功耗策略的系统平台，在保证性能的同时显著降低整体能耗。同时，其宽温工作范围（-40°C至105°C）确保了在恶劣环境下的可靠运行，适用于工业与汽车级应用场景。产品采用134-VFBGA（细间距球栅阵列）封装，并以卷带（TR）形式提供，非常适合高密度、小尺寸的自动化表面贴装（SMT）生产流程。

在接口与关键参数方面，该芯片作为易失性DRAM，其16位并行数据总线与移动LPDDR2标准兼容，提供了优化的命令集和低功耗状态管理。其设计充分考虑了信号完整性与电源完整性，有助于简化系统板级设计。对于需要可靠供应链的客户，通过美光一级代理可以获得原厂正品支持与稳定的供货保障。

综合其技术特性，EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR主要面向对空间、功耗和可靠性有高要求的应用领域。这包括但不限于智能手机、平板电脑等消费电子设备的主内存或辅助内存，以及车载信息娱乐系统、工业控制计算机、便携式医疗设备等嵌入式系统。其平衡的性能、功耗和坚固性，使其成为连接移动计算与高可靠性嵌入式市场之间的一个关键存储解决方案。

• 制造商产品型号：EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量：1Gb（64M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：533MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.14V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：134-VFBGA
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