EDB4064B4PB-1D-F-R TR

作为美光科技（Micron Technology）推出的移动低功耗双倍数据率同步动态随机存储器（Mobile LPDDR2 SDRAM）产品，EDB4064B4PB-1D-F-R TR采用了先进的工艺技术，其核心架构基于64M x 64的组织形式，提供了总计4Gb的存储容量。该器件内部集成了高速同步接口与精密的存储阵列，能够在单一时钟周期内完成数据的预取与传输，其并联接口设计确保了与主控制器之间宽数据通道的稳定连接，为系统提供了高带宽的数据交换能力。

该芯片在功能上实现了高性能与低功耗的平衡。其工作电压范围设计为1.14V至1.95V，为核心供电提供了灵活性，有助于在动态电压与频率调节（DVFS）场景下优化整体系统能耗。时钟频率最高可达533MHz，结合LPDDR2的双倍数据率特性，有效数据传输速率得到显著提升。此外，其易失性存储特性要求持续供电以保持数据，但这也带来了极快的读写响应速度，适用于需要频繁高速数据交换的应用环境。

在接口与关键参数方面，EDB4064B4PB-1D-F-R TR采用216焊球细间距球栅阵列（216-WFBGA）封装，这种表面贴装型封装具有紧凑的尺寸和优良的电气性能，适合高密度PCB布局。其工作温度范围覆盖-30°C至85°C（基于外壳温度TC），确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的美光代理商获取该卷带（TR）包装的原装产品，保障设计项目的顺利进行。

基于其技术特性，该芯片典型应用于对功耗和性能有双重要求的移动计算与嵌入式平台。例如，在高端智能手机、平板电脑、便携式医疗设备及汽车信息娱乐系统中，它能够作为系统的主内存或高速缓存，为应用处理器提供充足的数据带宽，同时通过低电压运行延长电池续航。其稳健的设计也使其成为工业控制、网络通信设备中需要可靠临时数据存储组件的理想选择。

• 制造商产品型号：EDB4064B4PB-1D-F-R TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量：4Gb（64M x 64）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：533MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.14V ~ 1.95V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：216-WFBGA
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