EDF8164A3MD-GD-F-R TR

作为一款面向移动计算平台的高性能存储解决方案，EDF8164A3MD-GD-F-R TR采用了美光科技先进的Mobile LPDDR3 SDRAM技术。其核心架构基于128M x 64的组织形式，实现了8Gb的总存储容量，为系统提供了宽而深的数据通道。该芯片在1.14V至1.95V的宽电压范围内工作，这种设计使其能够灵活适应不同功耗和性能需求的应用场景，特别是在需要动态电压与频率调节（DVFS）以优化能效比的系统中表现出色。

该器件在800MHz的时钟频率下运行，提供了高速的并联数据接口，确保了数据吞吐的流畅性与实时性。其易失性存储器特性要求系统在持续供电下保持数据，这使其成为需要高速缓存和运行内存的应用的理想选择。工作温度范围覆盖-30°C至85°C（TC），保证了其在严苛环境下的稳定性和可靠性，满足工业级和扩展商业温度应用的需求。用户可通过美光授权代理获取该产品的技术支持和供应链服务。

在接口与参数方面，该芯片的并联接口设计简化了与主控处理器的连接，支持高效的数据并行传输。其封装形式为卷带（TR），便于自动化贴装，适合大规模生产。虽然该产品目前已处于停产状态，但其成熟的技术规格和经过市场验证的性能，使其在特定存量或延续性项目中仍具有应用价值。

从应用场景来看，EDF8164A3MD-GD-F-R TR主要面向对功耗和性能有平衡要求的嵌入式系统与移动设备。它适用于智能手机、平板电脑、便携式医疗设备、车载信息娱乐系统以及工业控制终端等，为这些设备提供高速的数据缓冲和程序运行空间，是构建响应迅速、能效优异的计算平台的关键组件之一。

• 制造商产品型号：EDF8164A3MD-GD-F-R TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 800MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR3
• 存储容量：8Gb（128M x 64）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：800MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.14V ~ 1.95V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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