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MT16HTF12864AY-40ED1

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MT16HTF12864AY-40ED1技术参数详情:

MT16HTF12864AY-40ED1是一款由Micron Technology(美光科技)设计生产的DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用标准的240针双列直插式(240-DIMM)封装,其核心架构基于DDR2技术,内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成,通过精密的地址/命令总线和数据总线进行组织,实现了1GB的总存储容量。其内部采用4bank预取架构,通过改进的存储单元阵列和信号处理技术,在保持数据稳定性的同时,有效提升了数据传输的带宽和效率。

该模块的显著特性在于其400MT/s的数据传输速率,这使其能够提供高达3.2GB/s的理论峰值带宽,显著提升了系统在处理大量数据时的响应速度。其工作电压为标准的1.8V,相比前代DDR内存降低了功耗,并集成了片内终结(ODT)功能,有助于优化信号完整性,减少反射,从而在高速运行下保持信号的清晰与稳定。对于需要可靠供应链的客户,通过正规的美光一级代理进行采购,是确保获得原装正品和完整技术支持的重要途径。

在接口与参数方面,该模块严格遵循JEDEC标准规范,其时钟频率为200MHz,通过DDR双倍数据速率技术在时钟的上升沿和下降沿各传输一次数据,从而实现400MT/s的有效速率。其延迟时序参数(如CL、tRCD、tRP)针对该速度等级进行了优化,以平衡性能与稳定性。模块的PCB设计包含串行存在检测(SPD)EEPROM,可自动向系统BIOS报告模块的规格和时序信息,实现即插即用的兼容性。

基于其稳定的性能和标准化的设计,MT16HTF12864AY-40ED1主要面向需要内存升级或系统集成的企业级和商用计算领域。它适用于特定世代的服务器、工作站、高端台式电脑以及工业控制计算机的主板,为这些系统提供可靠的大容量内存扩展方案,满足数据处理、虚拟化、数据库应用等对内存带宽和容量有较高要求的场景,是构建稳定、高效计算平台的基础组件之一。

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