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MT16HTF12864AY-53EB1

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MT16HTF12864AY-53EB1技术参数详情:

MT16HTF12864AY-53EB1是一款由Micron Technology(美光科技)设计生产的DDR2 SDRAM内存模组,采用标准的240针双列直插式(DIMM)封装。该模组基于成熟的DDR2架构,通过4位预取和差分选通(DQS)技术,在核心时钟频率为133MHz的情况下,实现了高达533MT/s的数据传输速率。其内部由多颗高速CMOS DRAM芯片组成,通过精密的信号同步与电源管理设计,确保了在服务器、工作站及高性能计算平台等要求苛刻的环境中,能够提供稳定、可靠的大容量数据缓冲与高速存取能力。

该模组具备1GB的存储容量,能够有效满足多任务处理和海量数据暂存的需求。533MT/s的数据速率配合DDR2的双倍数据速率特性,显著提升了内存带宽,缓解了系统数据吞吐的瓶颈。其工作电压为标准的1.8V,相较于前代DDR内存,在提升性能的同时实现了更低的功耗与发热。模组内置的片上终结(ODT)功能有助于改善信号完整性,减少反射,从而在高速运行下保持稳定的数据传输。对于需要可靠供应链的客户,可以通过美光授权代理获取原厂正品保障与技术支持。

在接口与参数方面,该模组严格遵循JEDEC标准的DDR2-533(PC2-4200)规范,时序参数经过优化以匹配其速度等级。240-DIMM的封装形式使其兼容于众多主流服务器和台式机主板。其设计考虑了高温环境下的可靠性,能够在规定的工业温度范围内持续工作。这些特性使其成为对成本、性能与可靠性有综合考量的升级或替换方案的理想选择。

鉴于其性能与可靠性,MT16HTF12864AY-53EB1主要面向企业级应用与高性能计算领域。它适用于需要大内存容量的入门级服务器、网络存储设备(NAS)、工作站以及工业控制计算机。在这些场景中,该模组能够为数据库运行、虚拟化环境、图形渲染和实时数据处理提供必要的内存支持,是构建或升级老旧但仍具价值的DDR2平台系统的关键组件。

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