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MT16HTF12864AY-667B3

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MT16HTF12864AY-667B3技术参数详情:

MT16HTF12864AY-667B3是一款由美光科技(Micron Technology)设计和生产的DDR2 SDRAM内存模组。该模组采用标准的240针双列直插式(DIMM)封装,其核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成,通过精密的PCB布线实现稳定的并行数据传输。其设计遵循JEDEC标准规范,确保了与主流主板和芯片组的广泛兼容性,为系统提供了可靠的基础内存扩展方案。

该模组的数据传输速率达到667MT/s,在双倍数据速率(DDR)技术的加持下,其有效时钟频率为333MHz,能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿都进行数据传输,从而显著提升了内存带宽。其总存储容量为1GB,能够满足当时主流商用计算、基础服务器和部分嵌入式系统对内存容量的需求。模组的工作电压为1.8V,相比前代DDR内存降低了功耗,有助于改善系统的整体能效和散热表现。

在接口与参数方面,该模组采用标准的240-DIMM接口,支持ECC(错误校验与纠正)功能与否取决于具体订购型号的后缀,但标准型号通常提供非缓冲无校验的配置。其时序参数(如CL、tRCD、tRP等)严格遵循667MT/s速率等级的标准设定,保证了信号完整性和时序余量。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的Micron代理商获取该产品及其相关配套服务。

从应用场景来看,MT16HTF12864AY-667B3主要面向需要可靠、稳定内存解决方案的领域。它曾广泛应用于企业级台式电脑、入门级工作站、网络设备(如路由器、交换机)以及部分工业控制计算机中。其1GB容量667MT/s速度的搭配,在当时能够有效平衡系统性能与成本,为运行复杂的操作系统、多任务办公软件及基础数据库应用提供了必要的内存支持,是特定时期数据中心边缘设备和固定功能计算平台的主流内存选择之一。

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