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MT16HTF12864AY-80ED3

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MT16HTF12864AY-80ED3技术参数详情:

MT16HTF12864AY-80ED3是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR2 SDRAM内存模组,采用标准的240针双列直插式内存模块(DIMM)封装。该模组基于成熟的DDR2架构,内部由多颗高速CMOS DRAM芯片组成,通过精密的PCB布线和阻抗控制,实现了稳定的数据传输通道。其核心设计旨在满足对带宽和容量有较高要求的计算环境,通过双倍数据速率技术,在时钟信号的上升沿和下降沿均能进行数据传输,有效提升了内存子系统的整体吞吐效率。

该模组具备1GB的存储容量,能够为系统提供充裕的内存空间以支持多任务处理和大数据量应用。其标称运行速度为800 MT/s(百万次传输/秒),对应的时钟频率为400MHz,这一速度等级在DDR2标准中属于主流偏高性能的规格,能够显著减少处理器等待数据的时间,从而提升系统响应速度。其工作电压为1.8V,相较于前代DDR内存,在提供更高性能的同时,实现了更低的功耗与发热,有助于构建更节能、散热设计更简单的系统。

在接口与电气参数方面,MT16HTF12864AY-80ED3严格遵循JEDEC制定的DDR2 SDRAM标准,确保了与主流平台芯片组的广泛兼容性。其240-DIMM封装是台式机和服务器领域的通用形式,便于系统集成与升级。模组内部集成了片上终结(ODT)和可编程CAS延迟等高级功能,这些特性有助于优化信号完整性,特别是在高频率和多模组配置下,能够维持清晰的数据眼图,保障系统长期稳定运行。对于需要可靠供应链的客户,可以通过正规的美光芯片代理渠道获取此产品,确保原装正品与技术支持。

该内存模组主要面向需要可靠性和性能平衡的商用及主流计算领域。其典型应用场景包括企业级台式电脑、入门级工作站、以及各种网络设备和服务器的内存扩展。在运行大型数据库、虚拟化环境、图形处理及科学计算等对内存带宽和容量敏感的任务时,该模组能够提供坚实的硬件支持,是构建高效、稳定信息系统基础架构的关键组件之一。

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