Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT16HTF6464AY-40EB2是一款由美光科技（Micron Technology）推出的DDR2 SDRAM内存模组，采用240针双列直插内存模块（DIMM）封装。该模组基于成熟的DDR2架构，其核心设计旨在通过4位预取架构和差分选通（DQS）技术，在核心时钟频率为200MHz的条件下实现高达400MT/s的数据传输速率。这种架构有效提升了内存与控制器之间的数据吞吐效率，同时通过片内终结（ODT）和可编程的CAS延迟（CL）、行地址到列地址延迟（tRCD）、行预充电时间（tRP）等时序参数，增强了信号完整性并优化了系统时序裕量。
该模组集成了多项旨在提升系统稳定性和性能的功能特性。它支持双通道配置，能够显著提升内存带宽，满足对数据吞吐量有较高要求的应用。其工作电压为标准的1.8V，相比前代DDR内存降低了功耗与发热。模组内置了串行存在检测（SPD）EEPROM，可自动向系统BIOS报告模块的时序参数，确保即插即用的兼容性。此外，它采用了FBGA（细间距球栅阵列）封装的DRAM芯片，提供了更可靠的电气连接和散热性能。对于需要稳定供应链和正品保障的客户，通过美光授权代理进行采购是确保产品可靠性和获得完整技术支持的重要途径。
在接口与关键参数方面，该模组提供64位数据总线宽度，单条模组总存储容量为2GB（由8颗256Mb x8的DDR2 SDRAM芯片组成512MB基础容量，并通过模组层面实现2GB总容量）。其标准时序参数在400MT/s速率下典型值为CL=5（CAS Latency）。它严格遵循JEDEC DDR2 SDRAM标准，确保了与主流服务器、工作站及高性能计算平台的广泛兼容性。其电气与物理规格完全适配标准的240针DDR2 DIMM插槽。
凭借其稳定的性能和标准化的设计，MT16HTF6464AY-40EB2主要面向需要可靠内存扩展的企业级计算环境。其典型应用场景包括入门级至中端服务器、网络存储设备（NAS/SAN）、工业控制计算机以及需要DDR2内存进行升级或维护的现有工作站和嵌入式系统。在这些对长期稳定运行和数据完整性要求苛刻的领域，该模组提供了经过验证的内存解决方案。
