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MT16KTF51264AZ-1G4M1

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MT16KTF51264AZ-1G4M1技术参数详情:

MT16KTF51264AZ-1G4M1是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的4GB容量DDR3L SDRAM内存模组,采用标准的240针无缓冲双列直插式内存模块(240-UDIMM)封装。该模组基于先进的DDR3L(低电压版DDR3)技术标准构建,其核心架构由高密度、高性能的DRAM芯片组成,通过精密的内部布线、信号完整性和电源管理设计,实现了在降低工作电压的同时,保持与标准DDR3相当的数据传输速率和稳定性,为系统提供了可靠的大容量内存解决方案。

该模组的一个显著特点是其1.35V的低工作电压,相较于传统DDR3的1.5V标准电压,功耗和发热得到了有效控制,这对于追求能效比和热管理的现代计算平台至关重要。其数据传输速率达到1333MT/s(每秒百万次传输),配合DDR的双倍数据速率特性,能够提供充足的带宽以满足主流应用的数据吞吐需求。模组内部集成了串行存在检测(SPD)芯片,可自动向主板BIOS报告模组的时序、电压和容量等关键参数,确保即插即用的兼容性与稳定性。

在接口与电气参数方面,该模组严格遵循JEDEC为DDR3L UDIMM制定的规范。其240针接口定义了地址、数据、控制信号及电源/地的完整布局,确保了与支持DDR3L内存的主板插槽的物理和电气兼容性。除了核心的1333MT/s速率和1.35V电压外,其时序参数(如CL-tRCD-tRP)也经过优化,以在给定频率下实现较低的访问延迟。对于需要稳定、长期供货和技术支持的客户,通过正规的美光一级代理进行采购是确保产品原装正品和获得完整供应链服务的重要途径。

凭借其平衡的性能、容量与能效表现,MT16KTF51264AZ-1G4M1主要面向商用台式机、一体机、入门级工作站以及各类嵌入式系统和工业控制计算机。它适用于运行办公软件、网页浏览、多媒体播放及轻量级数据处理等任务的场景,能够为这些系统提供成本效益高且可靠的内存扩展方案,有效提升多任务处理能力和系统响应速度。

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