Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT16KTF51264AZ-1G6M1是一款由美光科技（Micron Technology）设计生产的DDR3L SDRAM内存模组，采用240针无缓冲双列直插式内存模块（240-UDIMM）封装。该模组基于先进的DDR3L（低电压双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器）核心架构，其工作电压降低至1.35V，相比标准DDR3的1.5V，在保持高性能的同时显著降低了系统功耗与发热，这对于提升能效比和系统稳定性至关重要。其内部由多个高速DRAM芯片组成，通过精密的时序控制和信号完整性设计，实现了高效的数据吞吐。
该模组具备4GB的单条存储容量，数据速率高达1600MT/s（百万次传输/秒），对应的时钟频率为800MHz。凭借DDR（双倍数据速率）技术，它在时钟信号的上升沿和下降沿都能进行数据传输，有效带宽得到了倍增。其设计严格遵循JEDEC标准，确保了与主流平台和芯片组的广泛兼容性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过美光授权代理获取原装正品，保障产品质量与供货稳定。
在接口与电气参数方面，该模组采用标准的240针UDIMM接口，适用于台式电脑、工作站及部分服务器主板。其运行在PC3L-12800（DDR3L-1600）规范下，提供高达12.8GB/s的峰值带宽。模组支持自动刷新和自我刷新模式，并内建了温度传感器（TSOD），可配合主板实现基于温度的内存刷新率调整，增强高负载下的可靠性。时序参数（如CL、tRCD、tRP）经过优化，在低电压下依然能实现快速的响应。
MT16KTF51264AZ-1G6M1主要面向对性能、功耗和成本有综合考量的商用及消费级计算平台。它非常适合用于企业级台式机、瘦客户机、一体机以及中低负载的工作站，为其提供流畅的多任务处理能力和稳定的数据交换支持。在需要升级或组建注重能效的办公、教育及家庭娱乐系统时，这款低电压、高兼容性的4GB DDR3L内存模组是一个经典型号选择。
