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MT16KTF51264HZ-1G6M1

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MT16KTF51264HZ-1G6M1技术参数详情:

MT16KTF51264HZ-1G6M1是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能DDR3 SDRAM内存模组,采用行业标准的204针小外形双列直插内存模块(SODIMM)封装,专为对空间、功耗和性能有严格要求的紧凑型计算平台设计。该模组集成了高密度、低功耗的DDR3内存芯片,通过先进的电路设计和信号完整性优化,在有限的物理尺寸内实现了可靠的高速数据存取能力。

该模组的核心架构基于双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器技术。其内部由多个Bank组成,支持预取(Prefetch)架构,能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿都进行数据传输,从而实现有效的数据吞吐量倍增。模组运行在1.5V的标准工作电压下,并支持自刷新(Self-Refresh)和自动刷新(Auto-Refresh)等多种低功耗状态,有助于系统整体能耗管理。其数据传输速率高达1600MT/s(百万次传输/秒),配合可编程的CAS延迟、写入恢复时间等时序参数,为系统提供了高度的配置灵活性和性能优化空间。

在功能与接口方面,该模组提供总计4GB的存储容量,通过64位宽的数据总线与内存控制器进行通信。它支持关键的DDR3功能,如写入均衡(Write Leveling)、片上终端(ODT)以及温度补偿自刷新(TCSR),这些特性对于维持高速信号完整性、降低系统噪声和确保在宽温范围内的稳定性至关重要。其SODIMM封装形式使其能够直接插入标准的笔记本、小型台式机、一体机、工业电脑以及各类嵌入式主板的内存插槽中,安装简便,兼容性强。对于需要可靠供应链的客户,可以通过授权的Micron代理商获取此型号产品,确保原装正品和技术支持。

凭借其4GB容量、1600MT/s的速度以及紧凑的SODIMM形态,MT16KTF51264HZ-1G6M1非常适用于需要升级或配备内存的移动计算设备、超薄商用笔记本电脑、迷你PC、高性能一体机等消费类电子产品。同时,其在宽温适应性和长期可靠性方面的设计,也使其能够满足工业自动化控制设备、数字标牌、网络通信设备、医疗电子以及高端POS终端等嵌入式工业和商业应用场景的需求,为这些系统提供稳定、高效的数据缓存和运行内存支持。

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