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MT16VDDT12864AG-335D3

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MT16VDDT12864AG-335D3技术参数详情:

MT16VDDT12864AG-335D3是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR SDRAM内存模块,采用标准的184针双列直插内存模块(184-DIMM)封装形式。该模块的核心架构基于成熟的DDR(Double Data Rate)技术,通过在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据传输,实现了在相同外部时钟频率下相较于传统SDRAM翻倍的数据吞吐率。其内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成,通过精密的地址/命令总线和数据总线进行协同工作,共同构成了总容量为1GB的存储阵列。

该模块的功能特点突出体现在其333MT/s的数据传输速率上,这一速率对应着DDR-333(或称PC-2700)规范,能够为系统提供高达2.7GB/s的理论峰值带宽。其工作电压为标准DDR电压2.5V,在提供高性能的同时,也兼顾了功耗控制。模块内置了串行存在检测(SPD)芯片,存储了模块的时序、容量、制造商等信息,便于系统BIOS在启动时自动识别并配置最优参数,确保了即插即用的兼容性与稳定性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的美光代理商获取此正品模块,并获得相应的技术支持。

在接口与电气参数方面,MT16VDDT12864AG-335D3严格遵循JEDEC制定的DDR SDRAM标准。其184针DIMM接口定义了包括数据线、地址线、控制信号线、时钟信号以及电源和接地在内的完整连接。关键的时序参数如CAS延迟(CL)、行地址到列地址延迟(tRCD)、行预充电时间(tRP)等均按照DDR-333的规范进行设计,确保了与支持该标准的主板芯片组之间的可靠通信。模块的物理尺寸和引脚布局符合行业标准,可直接插入台式计算机或服务器的相应内存插槽中。

基于其1GB的容量和DDR-333的速度等级,MT16VDDT12864AG-335D3主要面向需要稳定内存扩展的商用台式电脑、入门级工作站以及部分工业控制计算机等应用场景。它适用于运行早期的操作系统、办公软件、以及一些对内存带宽要求不极端但对兼容性和可靠性有较高要求的遗留系统升级或维护。在需要构建或修复基于Intel 845/865系列、SiS 648/655或类似年代芯片组平台时,该模块是一个经过市场验证的可靠选择。

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