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MT16VDDT6464AY-40BG6

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MT16VDDT6464AY-40BG6技术参数详情:

MT16VDDT6464AY-40BG6是一款由美光科技(Micron Technology)设计制造的DDR SDRAM内存模块,采用标准的184针双列直插内存模块(184-DIMM)封装形式。该模块的核心架构基于成熟的DDR(双倍数据速率)技术,通过在时钟信号的上升沿和下降沿各传输一次数据,实现了在相同外部时钟频率下,数据传输速率翻倍的效果。其内部由多颗高密度DRAM芯片组成,通过精密的地址/命令解码、数据缓冲与控制逻辑,协同工作以提供稳定可靠的512MB存储空间。

该模块的功能特点突出体现在其400MT/s的数据传输速率上,这为需要中等带宽的系统提供了平衡的性能支持。其工作电压符合DDR1标准,在提供可观性能的同时,也兼顾了功耗的考量。模块的时序参数经过严格测试与优化,确保了在标准工作频率下的稳定性和兼容性。对于需要可靠内存解决方案的客户,通过正规的美光代理商进行采购,是获得原装正品和完整技术支持的重要途径。

在接口与关键参数方面,MT16VDDT6464AY-40BG6采用184针DIMM接口,这是早期台式电脑和部分服务器平台广泛使用的标准。其存储容量为512MB,对于运行传统操作系统或嵌入式应用而言,是一个实用且经济的容量选择。速度规格为400MT/s,对应的核心时钟频率为200MHz,其带宽表现能够满足当时主流商用计算、基础图形处理及网络设备的需求。模块的封装坚固,金手指镀层工艺保证了良好的电气接触和长期使用的可靠性。

该内存模块典型的应用场景包括2000年代初中期的台式电脑、入门级工作站、以及一些对成本敏感且生命周期较长的嵌入式系统和工业控制设备。它也常见于对特定硬件平台进行维护、升级或仿真的场合。由于其技术成熟、供应相对稳定,它在需要高可靠性、良好兼容性及总拥有成本控制的遗留系统(Legacy System)支持和特定行业应用中,依然扮演着重要的角色。

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