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MT18HTF12872DY-40EB1

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MT18HTF12872DY-40EB1技术参数详情:

作为一款面向高性能计算与服务器领域的内存模块,MT18HTF12872DY-40EB1采用了成熟的DDR2 SDRAM架构,其核心设计旨在提供稳定可靠的数据吞吐能力。该模块通过双倍数据速率技术,在时钟信号的上升沿与下降沿均进行数据传输,有效提升了数据带宽。其内部由多颗高速DRAM芯片组成,通过精密的信号同步与电源管理设计,确保了在密集访问下的数据完整性与时序准确性。

该模块具备1GB的存储容量,能够满足中等负载应用对内存空间的基本需求。400MT/s的数据传输速率,对应标准DDR2-800规格,提供了平衡的性能与功耗表现。其采用240针双列直插内存模块(DIMM)封装,这是服务器和工作站平台的常见接口形式,具有良好的机械稳定性和电气连接性。对于需要可靠供应链支持的客户,通过正规的Micron代理商进行采购,是确保获得原厂正品与完整技术支持的重要途径。

在接口与关键参数方面,该模块严格遵循JEDEC针对DDR2 SDRAM制定的标准规范。其工作电压为1.8V,相较于前代DDR内存显著降低了功耗与发热。模块上的串行存在检测(SPD)芯片存储了预置的时序参数,如CAS延迟、行预充电时间等,使系统能够自动识别并优化配置。这些参数共同保障了模块在兼容平台上的即插即用与稳定运行。

基于其技术特性,MT18HTF12872DY-40EB1主要适用于对稳定性要求严苛、且对绝对前沿性能需求不极致的场景。例如,它可用于企业级文件服务器、网络设备、工业控制计算机以及特定型号的较早期工作站或服务器升级与维护。在这些领域,其提供的DDR2代际性能、1GB容量以及美光原厂的品质可靠性,构成了其核心价值,服务于那些需要长生命周期支持与高运行稳定性的关键业务系统。

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