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MT18HTF12872Y-40ED5

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MT18HTF12872Y-40ED5技术参数详情:

MT18HTF12872Y-40ED5是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能DDR2 SDRAM内存模组。该模组采用标准的240针双列直插式内存模块(DIMM)封装,其核心架构基于成熟的DDR2技术,通过4位预取架构和差分选通(DQS)信号设计,在内部核心频率与外部数据总线频率之间实现高效的数据传输。其工作电压为1.8V,相较于前代DDR内存显著降低了功耗与发热,为系统提供了更优的能效比。

该模组具备1GB的总存储容量,组织方式为双面配置,内部由多颗高速DDR2 SDRAM芯片构成。其标称数据传输速率达到400MT/s(百万次传输/秒),对应的时钟频率为200MHz。凭借改进的片内终结(ODT)和片外驱动校准(OCD)技术,该模组在高速运行下能有效抑制信号反射,确保数据传输的完整性与稳定性,尤其适用于对时序要求严格、需要长时间稳定运行的计算环境。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的美光中国代理获取此产品及相关技术支持。

在接口与关键参数方面,该模组严格遵循JEDEC标准规范,其延迟时序(如CL、tRCD、tRP等)针对400MT/s速率进行了优化,以平衡性能与兼容性。其工作温度范围符合商业级标准,能够满足大多数室内设备的环境要求。模组上的串行存在检测(SPD)EEPROM芯片存储了所有的时序、容量与制造商信息,支持系统启动时自动配置,简化了系统集成与升级过程。

基于其稳定的性能与标准化的设计,MT18HTF12872Y-40ED5主要面向企业级服务器、高性能工作站、网络通信设备以及部分需要大容量、稳定内存支撑的工业控制计算机。它能够为这些应用场景中的多任务处理、大型数据库运算和关键业务持续运行提供可靠的内存子系统支持,是构建上一代主流计算平台核心基础设施的经典内存解决方案之一。

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