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MT18HTF12872Y-40ED6

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MT18HTF12872Y-40ED6技术参数详情:

MT18HTF12872Y-40ED6是一款由Micron Technology(美光科技)设计生产的DDR2 SDRAM内存模组。该模组采用标准的240针双列直插式(DIMM)封装,其核心架构基于成熟的DDR2技术,通过4位预取架构和差分选通(DQS)信号设计,实现了数据在I/O缓冲区与核心阵列之间的高效传输。内部由多颗高速DRAM芯片并行组成,总容量达到1GB,能够为系统提供稳定的大容量数据暂存空间,满足复杂计算任务对内存带宽和延迟的严格要求。

该模组运行速度为400MT/s(百万次传输/秒),对应时钟频率为200MHz,在双倍数据速率(DDR)技术下,每个时钟周期可完成两次数据传输,从而有效提升了数据吞吐效率。其工作电压为标准的1.8V,相较于前代DDR技术显著降低了功耗与发热,有助于提升系统能效与长期运行稳定性。模组支持片上终结(ODT)功能,有助于优化信号完整性,减少反射,确保在高速运行下的数据传输可靠性。对于需要可靠供应链的客户,可以通过美光授权代理获取原厂正品保障和技术支持。

在接口与关键参数方面,该模组严格遵循JEDEC标准规范,其时序参数(如CL、tRCD、tRP)针对400MT/s速率进行了优化,确保了与主流芯片组和平台的兼容性。240针DIMM封装是台式机和工作站平台的通用形态,安装便捷。其电气特性和信号定义均符合行业标准,便于系统集成商进行设计与验证。

MT18HTF12872Y-40ED6主要面向需要可靠内存扩展的商用计算环境。其典型应用场景包括企业级台式电脑、工作站、入门级服务器以及特定的工业控制计算机。在这些场景中,该模组能够为操作系统、应用程序和大量用户数据提供充足的内存资源,保障多任务处理、数据分析、图形设计及自动化控制等任务的流畅运行,是构建稳定、高效计算基础架构的可靠组件。

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