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MT18HTF25672FDY-80EE1D4

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MT18HTF25672FDY-80EE1D4技术参数详情:

MT18HTF25672FDY-80EE1D4 是一款由 Micron Technology(美光科技)设计生产的服务器级内存模组,采用先进的 DDR2 SDRAM 技术,封装于标准的 240 针全缓冲双列直插内存模块(FBDIMM)中。该模组集成了高密度存储颗粒,通过先进的缓冲芯片架构,有效解决了传统并行总线在高负载、多通道环境下的信号完整性与扩展性瓶颈,为多处理器服务器和工作站提供了可靠的高带宽内存解决方案。

该模组的核心优势在于其全缓冲内存接口。与传统的无缓冲或寄存式 DIMM 不同,FBDIMM 通过位于模组上的高级内存缓冲器(AMB)芯片进行数据与命令的串行化传输。这种点对点的串行链路设计显著减少了主板布线的复杂性,提升了信号质量,并允许在单个内存通道上连接更多的模组,从而极大地提高了系统的总内存容量和扩展能力。其工作速率达到 800MT/s,在提供高数据传输带宽的同时,AMB 芯片还承担了纠错、重定时和信号增强等关键功能,确保了在苛刻的服务器环境中数据的准确性与系统的长期稳定运行。

在电气与物理规格上,该模组提供 2GB 的存储容量,符合 JEDEC 针对 DDR2-800 的标准规范。240-FBDIMM 封装形式定义了其物理尺寸和引脚布局,确保了与支持 FBDIMM 技术的主板插槽的完全兼容。其工作电压、时序参数及热设计均遵循严格的服务器标准,以满足数据中心对功耗、散热和可靠性的严苛要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过授权的 Micron代理商 获取此型号产品及相关服务。

MT18HTF25672FDY-80EE1D4 主要面向企业级计算领域,是高密度、高可用性服务器、高性能计算集群以及高端工作站的理想内存选择。它特别适用于数据库服务器、虚拟化主机、云计算基础设施和大型事务处理系统,这些应用场景对内存容量、数据吞吐量和系统稳定性有着极高的需求。该模组的设计充分考虑了企业级应用的连续性要求,是构建关键业务计算平台的核心组件之一。

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