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MT18HTF25672PDZ-80EH1

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MT18HTF25672PDZ-80EH1技术参数详情:

MT18HTF25672PDZ-80EH1是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的2GB容量DDR2 SDRAM内存模组,采用标准的240针RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)封装。该模组基于成熟的DDR2架构,通过引入寄存器(Register)缓冲来自内存控制器的地址和控制信号,有效提升了信号完整性,并允许单通道连接更多的内存模组,从而满足服务器及高端工作站对高容量、高稳定性内存子系统的严苛需求。

该模组的核心运行频率为800MT/s(百万次传输/秒),对应时钟频率为400MHz。其内部采用双倍数据速率(DDR)技术,在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输,实现了等效于时钟频率两倍的数据带宽。对于这款模组,其峰值数据传输率可达12.8GB/s(以64位数据总线计算)。带寄存器的设计是其关键特性之一,它不仅增强了驱动能力,减少了主内存控制器的电气负载,还显著提升了系统在搭载多根内存条时的稳定性和可靠性,这对于需要长时间不间断运行的关键业务服务器至关重要。

在接口与电气参数方面,MT18HTF25672PDZ-80EH1严格遵循JEDEC为DDR2 RDIMM制定的规范。其工作电压为标准的1.8V,相较于前代DDR内存降低了功耗。240针的RDIMM接口定义了详细的引脚功能,包括地址线、数据线、控制信号、时钟以及为寄存器和串行存在检测(SPD)芯片供电的线路。模组上的EEPROM(SPD)芯片存储了厂商信息、时序参数、容量和模块特性等关键数据,系统BIOS在启动时会读取这些信息以进行正确的初始化配置,确保兼容性与性能优化。

这款内存模组的典型应用场景集中于企业级计算领域。它非常适合用于构建或升级基于Intel Xeon或AMD Opteron等平台的双路或多路服务器、高性能工作站、网络存储设备(NAS/SAN)以及通信基础设施设备。在这些对数据完整性和系统可用性要求极高的环境中,其高带宽、大容量和寄存器增强的稳定性能够为数据库服务、虚拟化应用、科学计算和大型文件处理提供坚实的内存支持。用户可以通过美光一级代理等正规渠道获取此型号产品,以确保获得符合原厂标准的技术支持与供货保障。

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