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MT18HTF51272AZ-667C1

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MT18HTF51272AZ-667C1技术参数详情:

MT18HTF51272AZ-667C1是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR2 SDRAM内存模块,采用240针无缓冲双列直插式内存模块(240-UDIMM)封装。该模块的核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成,通过精密的信号走线与电气布局,在标准工作电压下实现稳定的数据传输。其内部采用双倍数据速率架构,在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输,有效提升了数据吞吐效率,同时集成的片上终结电阻(ODT)有助于优化信号完整性,减少反射干扰,确保在较高频率下运行的可靠性。

该模块的功能特点突出体现在其4GB的大容量存储667MT/s的数据传输速率上。667MT/s的传输速率对应着333MHz的时钟频率,能够提供高达5.3GB/s的理论带宽,满足对内存带宽有较高要求的应用场景。模块支持ECC(错误校验与纠正)功能,可检测并修正单位元错误,提升系统在关键任务中的稳定性和数据可靠性。其工作电压典型值为1.8V,相较于前代DDR技术,在提供更高性能的同时实现了更低的功耗,符合节能设计趋势。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的美光芯片代理获取此型号产品及相关技术支持。

在接口与关键参数方面,MT18HTF51272AZ-667C1严格遵循JEDEC标准的DDR2-667(PC2-5300)规范。其240针UDIMM接口兼容主流台式机和工作站主板。时序参数(如CL、tRCD、tRP)经过优化,在保证性能的同时兼顾稳定性。模块通常在0°C至85°C的商业温度范围内工作,确保在常规办公与计算环境下的适用性。其PCB板采用高质量材料制造,并经过严格的测试与验证,以保障长期运行的耐用性。

该内存模块主要面向需要可靠、大容量内存的商用计算领域。其典型应用场景包括企业级台式电脑、工作站、入门级服务器以及一些工业控制计算机。在这些场景中,它能够为操作系统、大型应用程序、数据库缓存以及虚拟化环境提供充足的内存资源,保障多任务处理的流畅性。对于基于较旧平台但仍需维持或升级性能的系统,此DDR2模块是经济有效的解决方案之一,尤其适用于系统集成、售后升级和维护市场。

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