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MT18HTF6472DY-40EB2

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MT18HTF6472DY-40EB2技术参数详情:

MT18HTF6472DY-40EB2是一款由Micron Technology(美光科技)设计生产的DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用标准的240针双列直插内存模块(DIMM)封装形式,其核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成,通过精密的PCB板进行互连与信号整合,构成一个总容量为512MB的完整内存解决方案。其设计遵循JEDEC标准规范,确保了与主流平台和芯片组的广泛兼容性。

该模块的核心运行频率为400MT/s(百万次传输/秒),对应时钟频率为200MHz。DDR2技术相较于前代产品,在相同核心频率下通过改进的预取架构实现了更高的数据传输率,并能在1.8V的工作电压下运行,这显著降低了功耗与发热,提升了系统的能效比。其内部采用4位预取技术,使得数据在I/O缓冲区与内存核心阵列之间的传输效率倍增。对于需要稳定、可靠内存供应的系统集成商而言,选择通过正规的Micron代理商进行采购,是确保产品为正品并获得完整技术支持的重要途径。

在接口与电气参数方面,MT18HTF6472DY-40EB2严格遵循DDR2-800(PC2-6400)的规格标准。其采用SSTL_18(1.8V Stub Series Terminated Logic)电平标准,具备片上终结(ODT)功能,能有效抑制信号反射,提升信号完整性,尤其在多模块并行工作的服务器或工作站环境中表现优异。模块的时序参数,如CL(CAS Latency)、tRCD、tRP等,均经过优化,以在400MT/s的数据速率下实现稳定的读写操作。

基于其512MB的容量、标准DIMM封装与400MT/s的传输速率,MT18HTF6472DY-40EB2主要面向对成本与功耗较为敏感,同时又需要可靠内存性能的嵌入式系统、工业控制计算机、网络通信设备、金融终端以及部分 legacy(遗留)企业级服务器和工作站的升级与维护市场。它适用于那些系统平台基于DDR2内存标准,且对单条内存容量需求在512MB级别的应用场景,为系统提供了平衡的性能与成本选择。

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