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MT18JDF51272PDZ-1G6K1

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MT18JDF51272PDZ-1G6K1技术参数详情:

MT18JDF51272PDZ-1G6K1是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的4GB容量DDR3 SDRAM内存模组。该模组采用标准的240针RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)封装形式,其核心架构基于DDR3技术规范,通过片上终结(ODT)和可编程CAS延迟等先进技术,在提升信号完整性的同时,有效降低了系统功耗与噪声干扰。模组内部集成了寄存器缓冲芯片,这使其特别适用于对稳定性和内存容量有较高要求的多通道服务器及工作站平台,能够可靠地管理大规模内存阵列的电气负载。

该产品在功能上实现了1600MT/s的数据传输速率,这一速度等级为DDR3-1600标准,提供了平衡的性能与功耗表现。其工作电压遵循DDR3标准的1.5V,相较于前代DDR2技术,在提供更高带宽的同时实现了更优的能效比。模组支持ECC(错误校验与纠正)功能,能够检测并修正单位元错误,极大增强了数据存储与传输的可靠性,这对于关键业务计算和数据中心应用至关重要。作为一款RDIMM,它通过寄存器对地址和控制信号进行缓冲和重驱动,从而允许系统支持更大数量的内存模组,扩展了系统的总内存容量上限。

在接口与关键参数方面,该模组采用双列直插式(DIMM)240针接口,符合JEDEC标准规范,确保了与主流服务器主板的广泛兼容性。4GB的存储容量由多颗高质量DDR3 SDRAM颗粒组成,并通过严格的测试验证。其时序参数(如CL值)经过优化,以匹配1600MT/s的速度要求,确保在高速运行下的稳定存取。用户可通过美光授权代理获取该产品的完整技术规格书、合规性认证以及可靠的供货渠道与技术支持。

基于其高可靠性、大容量支持和ECC纠错能力,MT18JDF51272PDZ-1G6K1主要面向企业级计算环境。其典型应用场景包括但不限于:各类服务器(如数据库服务器、应用服务器、虚拟化主机)、高性能工作站、网络存储设备(NAS/SAN)以及需要长时间稳定运行和大量数据处理的金融、电信行业硬件平台。它是构建稳健、可扩展数据中心基础设施的核心存储组件之一。

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