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MT18KDF51272PDZ-1G4D1

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MT18KDF51272PDZ-1G4D1技术参数详情:

MT18KDF51272PDZ-1G4D1是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR3 SDRAM内存模组,采用240针RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)封装形式。该模组基于DDR3 SDRAM核心架构,通过寄存器缓冲器(Register)对地址和控制信号进行锁存与驱动,有效减轻了内存控制器在驱动多颗DRAM芯片时的电气负载,从而提升了信号完整性、时序稳定性以及系统支持更高内存容量的能力,尤其适用于多通道、大容量配置的服务器和工作站环境。

该模组具备4GB的存储容量,运行速度为1333MT/s(每秒百万次传输),提供了平衡的带宽与延迟性能。其RDIMM设计是核心功能特点之一,它不仅增强了信号驱动能力,还通过片上终端(On-Die Termination)等技术优化了信号质量,确保在高速数据传输下的可靠性。模组内部通常由多颗符合JEDEC标准的DDR3 SDRAM芯片组成,并集成了串行存在检测(SPD)芯片,用于存储模组的时序、容量、制造商等关键配置信息,实现系统的自动识别与优化配置。对于需要稳定、长期运行的系统,通过正规的美光代理商采购,是确保产品为正品并获得完整技术支持与质保服务的重要途径。

在接口与电气参数方面,该模组采用标准的240针DDR3 RDIMM接口,工作电压为1.5V,符合DDR3 SDRAM的通用规范。其1333MT/s的数据传输速率对应着PC3-10600的标称带宽,能够满足上一代主流服务器平台对内存子系统的性能需求。模组的物理尺寸和引脚定义严格遵循行业标准,确保了与支持RDIMM规格的服务器主板的物理与电气兼容性。

MT18KDF51272PDZ-1G4D1主要面向企业级计算应用场景,是构建或升级旧款服务器、工作站、网络设备以及高性能存储系统的理想选择。它适用于需要较高内存容量、数据可靠性和系统稳定性的领域,例如数据库服务器、虚拟化主机、云计算基础设施以及金融交易系统等。其RDIMM特性使其在支持多处理器(MP)和大量内存插槽的平台上,能够实现比无缓冲模组(UDIMM)更稳定的大容量内存扩展,是数据中心和企业IT基础设施中经久耐用的关键组件之一。

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