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MT18KSF1G72AKIZ-1G4E1

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MT18KSF1G72AKIZ-1G4E1技术参数详情:

MT18KSF1G72AKIZ-1G4E1是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能、低功耗的DDR3L SDRAM内存模组。该模组采用先进的30nm级制程工艺,核心架构基于双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器技术,并支持低电压运行。其内部由多颗高密度DRAM芯片组成,通过精密的信号同步与阵列管理,实现了8GB的大容量数据存储,并确保在1333MT/s的数据传输速率下保持信号的完整性与时序的精确性。

该模组具备多项突出的功能特性。其工作电压为1.35V,显著低于标准DDR3的1.5V,在提供同等性能的同时,能有效降低系统整体功耗与发热量,提升能效比。它支持片上终端(ODT)和可编程CAS延迟等高级功能,有助于优化信号完整性,减少反射,从而提升系统在高速运行下的稳定性。模组严格遵循JEDEC标准规范,确保了与主流平台的良好兼容性。对于需要可靠供应链的客户,可以通过美光授权代理获取正品保障与技术支持。

在物理接口与关键参数方面,该产品采用244针Mini-UDIMM封装形式,这是一种紧凑型的无缓冲双列直插内存模组,专为对空间有严格限制的嵌入式及小型化设备设计。其运行频率对应PC3L-10600规格,时钟频率为667MHz,在双倍数据速率下实现1333MT/s的有效数据传输速率。时序参数经过精心调校,以平衡延迟与带宽。该模组能在扩展的商业温度范围内稳定工作,满足多种环境下的可靠性要求。

基于其高密度、低功耗、小尺寸及工业级可靠性的特点,MT18KSF1G72AKIZ-1G4E1非常适用于空间受限且对能效和性能有较高要求的应用场景。典型应用包括高性能嵌入式计算平台、网络通信设备(如路由器、交换机)、工业自动化控制系统、金融交易终端以及某些类型的服务器和存储系统的缓存或辅助内存。它是升级或构建紧凑型、高能效计算系统的理想内存解决方案。

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