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MT18KSF25672AZ-1G4G1

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MT18KSF25672AZ-1G4G1技术参数详情:

MT18KSF25672AZ-1G4G1是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR3L SDRAM内存模组,采用240针无缓冲双列直插内存模块(240-UDIMM)封装形式。该模组基于先进的DDR3L(Double Data Rate 3 Low Voltage)标准构建,其核心架构采用了双倍数据速率技术,在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输,从而在相同的时钟频率下实现了相较于传统SDRAM翻倍的有效带宽。其内部由多个高速DRAM芯片组成,通过精密的寻址逻辑和预取架构,确保了大规模数据流的稳定与高效访问。

该模组具备多项突出的功能特性。其工作电压为1.35V,显著低于标准DDR3的1.5V,这一低功耗设计是其核心优势之一,能够有效降低系统整体能耗并减少发热,对于追求能效比的现代计算平台至关重要。它支持高达1333 MT/s(每秒百万次传输)的数据传输速率,提供了充沛的内存带宽,足以应对多任务处理、数据缓冲等 demanding 场景。模组内置了片上终结(ODT)与自刷新(Self-Refresh)功能,有助于优化信号完整性并降低待机功耗。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的美光芯片代理获取此型号产品及相关技术支持。

在接口与关键参数方面,该模组提供2GB(16Gb)的总存储容量,通过64位数据总线与主机处理器连接。其时序参数(如CL、tRCD、tRP)经过精心调校,以匹配1333MT/s的速度等级,确保在低延迟与高带宽之间取得平衡。240-UDIMM的封装形式使其兼容于主流台式机、工作站及部分服务器的主板内存插槽,安装简便。其工作温度范围符合商业级或工业级标准,确保了在常规运行环境下的可靠性。

基于其性能与功耗的平衡,MT18KSF25672AZ-1G4G1非常适合应用于对能效有较高要求的领域。典型应用场景包括企业级台式电脑、入门级工作站、网络附加存储(NAS)设备、工业控制计算机以及各种嵌入式系统。在这些应用中,它能够为操作系统、应用程序和缓存数据提供稳定可靠的高速存储支持,是构建经济高效且性能满足需求的系统平台的理想内存解决方案。

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