


MT18KSF51272HZ-1G4M1 是一款由 Micron Technology(美光科技)设计生产的 DDR3L SDRAM 内存模组。该模组采用 204 针小型双列直插式内存模块(SODIMM)封装,物理尺寸紧凑,专为对空间有严格限制的移动计算平台和嵌入式系统设计。其核心基于先进的 30nm 级制程工艺,在保证高性能的同时,有效降低了芯片的功耗与发热,为系统提供了稳定可靠的内存基础。
该模组集成了 4GB 的总存储容量,通过双倍数据速率第三代低电压(DDR3L)技术实现数据传输。其运行速率为 1333 兆次传输/秒(MT/s),对应时钟频率为 667MHz,能够在每个时钟周期内完成两次数据读写操作,从而提供高达 10.6GB/s 的理论带宽。与标准 DDR3 内存相比,其工作电压降低至 1.35V,这显著减少了模组的动态和静态功耗,对于提升笔记本电脑、一体机等设备的电池续航能力具有直接贡献。低电压运行与高带宽的结合,使其在能效比方面表现突出。
在接口与电气参数方面,该模组严格遵循 JEDEC DDR3L 标准规范,确保了与主流平台芯片组的广泛兼容性。它支持片上终端(ODT)和可编程的列地址选通(CAS)延迟等高级功能,以优化信号完整性并减少系统时序设计的复杂性。其工作温度范围符合商业级或工业级标准,能够适应多种环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的美光中国代理获取此型号产品及相关服务。
凭借其紧凑的尺寸、低功耗和高性能特性,MT18KSF51272HZ-1G4M1 非常适用于超薄笔记本电脑、迷你 PC、工业控制计算机、数字标牌、网络通信设备以及高端 POS 终端等应用场景。在这些领域,它能够为操作系统、应用程序和数据缓存提供充足且高效的内存资源,是构建现代化、节能型计算系统的关键组件之一。
