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MT18VDDF6472DG-40BG2

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MT18VDDF6472DG-40BG2技术参数详情:

作为美光科技(Micron Technology)推出的高性能存储解决方案,MT18VDDF6472DG-40BG2是一款采用标准184针双列直插内存模块(DIMM)封装的DDR SDRAM模组。该模组基于成熟的DDR(双倍数据速率)架构设计,其核心在于每个时钟周期内能在上升沿和下降沿各传输一次数据,从而在相同的物理时钟频率下实现理论带宽的倍增。其内部由多颗高密度存储芯片组成,通过精密的地址/命令解码与数据缓冲电路协同工作,确保了大规模数据访问的稳定性和效率。

该模组提供了512MB的总存储容量,能够满足中等负荷系统的内存需求。400MT/s的数据传输速率是其关键性能指标之一,对应着DDR-400规格,能够提供高达3.2GB/s的理论峰值带宽,有效缓解了处理器与内存之间的数据交换瓶颈。其工作电压遵循DDR标准,在提供可观性能的同时也兼顾了功耗控制。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的美光芯片代理获取此型号产品及相关技术支持。

在接口与参数方面,该模组严格遵循JEDEC为DDR SDRAM DIMM制定的规范,184针的接口定义了详细的电源、地线、地址、命令和数据信号引脚布局。其时序参数(如CL、tRCD、tRP等)针对400MT/s的速度进行了优化,确保了在高速运行下的信号完整性。模块上的串行存在检测(SPD)EEPROM存储了所有的配置信息,使兼容的主板能够自动识别并配置其工作模式,简化了系统集成过程。

凭借其稳定的性能和标准化的封装,MT18VDDF6472DG-40BG2主要面向对成本与可靠性有较高要求的商业计算和嵌入式领域。它适用于特定世代的台式电脑、工作站、工业控制计算机以及一些网络通信设备的内存升级或初始配置。虽然其绝对性能并非面向当前的高端游戏或数据中心,但在其目标应用场景中,它提供了经过市场长期验证的、高性价比的内存扩展方案,是构建稳定、耐用系统平台的可靠选择之一。

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