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MT18VDDT12872Y-265D2

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MT18VDDT12872Y-265D2技术参数详情:

MT18VDDT12872Y-265D2是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能DDR SDRAM内存模块,采用标准的184针双列直插内存模块(184-DIMM)封装形式。该模块的核心架构基于成熟的DDR(双倍数据速率)技术,其内部由多颗高密度DRAM芯片组成,通过精密的PCB布线、终端电阻与串行检测芯片(SPD)协同工作,构成了一个总容量为1GB的完整内存解决方案。其设计遵循JEDEC标准规范,确保了在高速数据传输下的信号完整性与系统稳定性。

该模块在功能上实现了在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据传输,从而在相同的物理时钟频率下实现了双倍于传统SDRAM的数据带宽。其标称数据传输速率达到266MT/s(百万次传输/秒),能够有效满足对内存带宽有较高要求的计算环境。模块内置的串行存在检测(SPD)EEPROM存储了关键的时序、容量与制造商信息,支持系统在启动时自动识别并配置最优参数,简化了系统集成与维护工作。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的Micron代理商获取此正品元件及相关技术支持。

在接口与关键参数方面,该模块工作电压为标准DDR电压,其184针DIMM接口兼容广泛的主板设计。除了1GB的总容量和266MT/s的速度外,其时序参数(如CL、tRCD、tRP等)均经过优化,以平衡性能与延迟。模块的物理尺寸和引脚定义符合行业标准,便于安装和替换,适用于标准台式机和工作站平台。

基于其稳定的性能和标准化的设计,MT18VDDT12872Y-265D2主要应用于对成本与性能有均衡要求的商用台式电脑、入门级工作站、工业控制计算机以及一些特定的网络通信设备中。它能够为这些系统提供可靠的数据缓存和程序运行空间,支撑操作系统、办公软件及各类专业应用软件的流畅运行,是老一代DDR平台升级或维护的理想选择之一。

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