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MT18VDDT6472AY-40BK1

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MT18VDDT6472AY-40BK1技术参数详情:

作为美光科技(Micron Technology)推出的高性能内存解决方案,MT18VDDT6472AY-40BK1是一款基于DDR SDRAM架构的512MB内存模块,采用标准的184针双列直插内存模块(DIMM)封装形式。该模块设计用于在200MHz的核心时钟频率下实现400MT/s的数据传输速率,通过双倍数据速率技术,在每个时钟周期的上升沿和下降沿各传输一次数据,从而有效提升内存带宽,满足对数据吞吐量有较高要求的计算环境。

该模块集成了美光先进的DRAM芯片,采用同步动态随机存取存储器架构,确保与系统时钟严格同步,减少数据访问延迟。其工作电压符合DDR标准,在提供高性能的同时也注重功耗管理。模块上的串行存在检测(SPD)EEPROM存储了关键的时序、容量与制造商信息,支持系统自动配置,确保兼容性与稳定性。对于需要可靠供应链与本地技术支持的客户,可通过美光中国代理获取该产品及相关服务。

在接口与关键参数方面,该模块采用184针DIMM接口,适用于支持DDR内存的台式机、工作站及某些服务器主板。其512MB的存储容量能够为多任务处理与中等负载应用提供充足的内存空间,而400MT/s的传输速度则保障了数据读写的流畅性。模块遵循标准的DDR内存时序规范,确保了在兼容平台上的即插即用性与长期运行的可靠性。

MT18VDDT6472AY-40BK1主要面向需要内存升级或系统集成的应用场景,例如商用台式电脑、入门级工作站、工业控制系统以及特定的网络设备。它适用于运行办公软件、进行基础图形处理、作为轻量级服务器内存或嵌入式系统的存储扩展。其标准化的DIMM封装与广泛的平台兼容性,使其成为对性能、成本与可靠性有均衡考量的理想选择。

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