MT18VDDT6472DG-265G3

MT18VDDT6472DG-265G3是一款由美光科技（Micron Technology）设计生产的DDR SDRAM内存模块，采用标准的184针双列直插内存模块（184-DIMM）封装形式。该模块基于成熟的DDR（双倍数据速率）同步动态随机存取存储器架构，其核心设计旨在通过每个时钟周期内在上升沿和下降沿各传输一次数据，从而在相同的物理时钟频率下实现相较于传统SDRAM翻倍的有效数据传输带宽。

该模块集成了总容量为512MB的存储单元，其数据传输速率达到266MT/s（百万次传输每秒）。这一速度等级使其能够有效满足对内存带宽有基础要求的主流计算平台需求。其工作电压遵循DDR SDRAM标准，在提供稳定性能的同时，也兼顾了系统的功耗管理。对于需要可靠供应链和正品保证的客户，通过美光一级代理进行采购是确保产品来源与技术支持质量的重要途径。

在接口与电气参数方面，模块采用184针DIMM接口，其引脚定义与标准DDR DIMM规范完全兼容，确保了广泛的平台适用性。关键时序参数经过美光严格的测试与验证，能够在标称的266MT/s速率下稳定工作，提供低延迟的数据访问体验。其高兼容性与可靠性设计，使其能够无缝集成到支持DDR内存规范的各类主板和系统中，减少了系统集成与调试的复杂性。

该内存模块主要面向企业级和消费级的台式计算机、入门级服务器、工作站以及特定的工业控制与嵌入式系统。在这些应用场景中，它能够作为系统的主内存，为操作系统、应用程序和数据处理提供必要的临时存储空间，是构建稳定、高效计算环境的基础组件之一。其512MB的容量与266MT/s的速度组合，尤其适合处理日常办公、基础数据服务、传统工控界面等对内存容量和带宽需求处于经典水平的应用，在性能与成本之间取得了良好的平衡。

• Micron美光半导体完整型号: MT18VDDT6472DG-265G3
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 功能总体简述: MODULE SDRAM DDR 512MB 184DIMM
• 系列: -
• 存储器类型: DDR SDRAM
• 存储容量: 512MB
• 速度: 266MT/s
• 封装/外壳: 184-DIMM
• 现在可以订购MT18VDDT6472DG-265G3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。