MT28F004B3VG-8 T TR

MT28F004B3VG-8 T TR是美光科技（Micron Technology）推出的一款并行接口NOR闪存芯片，采用成熟的0.724英寸宽40引脚TSOP-I封装，适用于表面贴装工艺。该器件基于经典的NOR架构设计，提供512K x 8位的存储组织方式，总容量为4Mb。其核心采用非易失性存储技术，确保在断电情况下数据能够长期保持，为系统提供了可靠的代码存储或参数保存方案。

该芯片在功能上具备NOR闪存的典型优势，支持快速的随机读取和可靠的字节/字编程操作。80ns的快速访问时间和写周期时间，使其能够满足许多对实时性有要求的嵌入式系统的代码执行（XIP）需求。其工作电压范围为3V至3.6V，属于标准的3.3V逻辑电平，能够轻松与主流微控制器或处理器接口。工作温度范围覆盖商业级的0°C至70°C，适用于大多数室内电子设备的环境要求。

在接口与参数方面，MT28F004B3VG-8 T TR采用并行地址/数据总线，接口时序直观，便于控制和集成。其封装形式为40-TFSOP，在提供足够I/O引脚的同时，保持了相对紧凑的PCB占板面积。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑替代方案或库存获取途径，专业的Micron代理商能够提供相关的产品生命周期支持和供应链服务。

这款芯片典型的应用场景包括需要存储固件、引导代码或配置参数的嵌入式系统，例如工业控制模块、网络通信设备、打印机以及早期的消费类电子产品。其稳定的性能和成熟的工艺使其在过去的设计中成为存储关键系统代码的可靠选择，尤其适合那些不需要极高存储密度，但强调数据可靠性、快速读取和接口简单性的应用场合。

• 制造商产品型号：MT28F004B3VG-8 T TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：4Mb（512K x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：80ns
• 访问时间：80ns
• 电压-供电：3V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：40-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
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