MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR

MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR 是一款由 Micron Technology（美光科技）推出的高密度、高性能 NAND 闪存芯片。该器件采用先进的 3D NAND 制造工艺，构建了多层存储单元堆叠的核心架构，在单颗芯片内实现了高达 1.5Tb（192GB）的存储容量，其内部组织为 192G x 8 位，为需要海量数据存储的应用提供了紧凑的解决方案。

作为一款非易失性存储器，它确保了在断电情况下数据的可靠保存。芯片采用并联接口，提供了高速的数据吞吐通道，能够满足对读写带宽有严苛要求的系统需求。其工作电压范围设计为 2.5V 至 3.6V，兼容主流系统电源，并支持 0°C 至 70°C 的宽泛商业级工作温度范围，确保了在各种环境下的稳定运行。该产品以卷带（TR）形式提供，便于自动化贴装生产，其 272-ball VBG A封装优化了信号完整性与散热性能。

在功能层面，这款闪存芯片集成了美光科技在 NAND 技术领域的多项创新。它具备强大的纠错能力（ECC）和先进的坏块管理功能，显著提升了数据存储的长期可靠性和耐久性。同时，芯片内部集成了智能磨损均衡算法，有效延长了产品的使用寿命。其并联接口支持高速的命令、地址和数据传输，是实现快速启动和高效数据存取的关键。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的美光中国代理获取该产品及相关服务。

从应用场景来看，MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR 主要面向企业级存储、高性能计算、数据中心以及高端嵌入式系统等领域。其大容量和高速接口特性使其非常适合用于固态硬盘（SSD）、存储阵列卡、服务器缓存以及工业级数据记录设备，能够有效应对大数据存储、实时数据处理和高速数据备份等挑战，是构建下一代高密度存储系统的核心组件之一。

• 制造商产品型号：MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• 现在可以订购MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。