MT29F8T08GULBEM4:B

MT29F8T08GULBEM4:B是美光科技（Micron Technology）推出的一款采用QLC（四层单元）NAND闪存技术的存储器芯片。该芯片采用先进的1Tb（128GB）存储密度设计，以8位并行接口（x8）进行数据传输，并封装在LBGA（低剖面球栅阵列）外形中，其8DP（双平面）架构为高性能数据存储与访问提供了硬件基础。这种核心架构设计旨在平衡高密度存储与可靠的数据吞吐性能，是现代大容量固态存储解决方案的关键组成部分。

在功能层面，该器件实现了在单个芯片内集成1Tb的存储容量，这得益于其QLC技术，使得每个存储单元能够存放4位数据，从而显著提升了存储密度。其8位并行接口支持高速数据传输，而双平面（Dual Plane）操作特性允许同时对两个独立的数据平面进行读写或擦除操作，这有效提升了并发处理能力和整体吞吐量，尤其适用于需要连续大数据块读写的场景。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过正规的Micron代理商进行采购是确保产品正品性和获得完整技术服务的保障。

该芯片的接口采用标准的异步NAND接口，其x8数据总线宽度与主流的控制器兼容。LBGA封装形式提供了良好的电气连接可靠性和散热特性，适合集成到空间受限但对可靠性要求高的设备中。虽然具体的时序参数如访问时间、时钟频率等未在此详述，但其设计遵循了美光对于QLC NAND产品线的性能与可靠性规范，确保在规定的电压与工作温度范围内稳定运行。

基于其高密度、大容量的特点，MT29F8T08GULBEM4:B主要面向需要海量数据本地存储的应用场景。典型应用包括企业级和数据中心的大容量固态硬盘（SSD），用于温数据或冷数据存储层；亦可用于高容量的嵌入式存储解决方案，例如工业自动化系统中的数据记录、监控设备的视频图像归档，以及某些消费电子设备中扩展存储模块。其设计满足了市场对成本效益高的大容量非易失性存储的持续增长需求。

• 制造商产品型号：MT29F8T08GULBEM4:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：QLC 8T 1TX8 LBGA 8DP
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：-
• 存储器格式：-
• 技术：-
• 存储容量：-
• 存储器接口：-
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• 现在可以订购MT29F8T08GULBEM4:B，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。