MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F是美光科技（Micron Technology）推出的一款集成式存储解决方案，它将NAND闪存与LPDDR2 DRAM封装在单一芯片内，采用162-VFBGA封装，专为需要高密度、高性能非易失性存储与高速缓存的应用而设计。该器件采用并联接口，工作电压为1.8V，能够在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定运行，确保了在严苛环境下的可靠性。

该芯片的核心架构集成了2Gb容量的NAND闪存（组织为256M x 8位）与2Gb容量的LPDDR2 DRAM（组织为64M x 32位）。这种独特的组合允许系统在单一物理器件上同时实现大容量数据存储和高速数据缓冲。其NAND部分采用成熟的闪存技术，用于长期数据保存；而集成的LPDDR2 DRAM部分则提供了高达533MHz的时钟频率，显著提升了数据访问和处理的实时性，有效弥补了传统NAND闪存在随机读写速度上的不足。

在功能上，该器件的一个显著特点是其非易失性存储与易失性高速缓存的紧密结合。这种设计优化了存储系统的整体性能，尤其适用于需要频繁进行数据交换和高速读写的场景。其并联接口提供了高带宽的数据通路，而1.8V的低工作电压则有助于降低系统整体功耗。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过美光一级代理获取相关的技术支持和供货服务。表面贴装型的162-VFBGA封装形式也使其能够适应紧凑的PCB布局，满足现代电子设备小型化的需求。

从应用场景来看，MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F非常适合用于工业自动化控制、网络通信设备、高端消费电子以及车载信息娱乐系统等领域。在这些应用中，系统往往需要快速启动、实时记录大量日志数据或进行高速媒体流处理，该芯片提供的混合存储方案能够有效提升系统响应速度和数据吞吐量。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和技术参数对于理解混合存储架构在特定历史时期的应用仍具有重要的参考价值。

• 制造商产品型号：MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH RAM 2GBIT PAR 162VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：FLASH，RAM
• 技术：FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量：2Gb（256M x 8）（NAND），2G（64M x 32）（LPDDR2）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：533MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.8V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：162-VFBGA
• 现在可以订购MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。