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MT36HTF25672FY-53EB3D3

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MT36HTF25672FY-53EB3D3技术参数详情:

MT36HTF25672FY-53EB3D3是一款由Micron Technology(美光科技)设计生产的DDR2 SDRAM内存模块,采用240针双列直插内存模块(DIMM)封装形式。该模块的核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成,通过精密的地址/命令总线和数据总线进行组织与管理,实现了高带宽的数据吞吐能力。其内部采用双倍数据速率架构,在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输,有效提升了数据交换效率。

该模块具备2GB的总存储容量,为系统提供了充裕的内存空间,能够满足多任务处理和大数据量缓存的需求。其标称运行速度为533MT/s(每秒百万次传输),对应的工作频率为266MHz,这一速度等级在DDR2标准中提供了均衡的性能与功耗表现。模块支持ECC(错误校验与纠正)功能,能够检测并修正单位元错误,极大增强了系统在关键任务运行时的数据完整性与可靠性,这对于服务器、工作站等要求高可用性的计算环境至关重要。稳定的性能表现离不开可靠的供应链,通过正规的美光代理商进行采购,是确保获得原装正品和完整技术支持的重要途径。

在接口与电气参数方面,该模块采用标准的1.8V工作电压,相较于前代DDR内存显著降低了功耗与发热。其240-DIMM封装符合JEDEC标准规范,确保了与主流服务器及工作站主板的物理与电气兼容性。模块内部采用双通道或四通道设计的基础组件,通过优化的信号完整性和时序控制,保证了在533MT/s速率下稳定运行。其访问延迟、预充电时间等关键时序参数均经过严格测试,以满足工业级应用对稳定性的严苛要求。

基于其容量、速度与可靠性特点,MT36HTF25672FY-53EB3D3主要面向企业级计算与专业应用场景。它是构建或升级旧款服务器、高性能工作站、网络存储设备(NAS/SAN)以及工业控制系统的理想内存解决方案。尤其适用于那些需要大容量、稳定内存支持以运行虚拟化平台、大型数据库、科学计算及金融交易系统的环境,能够在提升系统整体响应速度和处理能力的同时,确保长时间运行的稳定性。

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