Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT36HTF25672FY-667B3E3 是一款由 Micron Technology（美光科技）设计生产的 2GB 容量 DDR2 SDRAM 内存模块。该模块采用标准的 240 针双列直插式内存模块（DIMM）封装形式，其核心架构基于成熟的 DDR2 技术，通过 4 倍预取架构和差分选通（DQS）技术，在内部核心频率与外部数据总线频率之间实现高效的数据传输。模块内部由多颗高速 DDR2 SDRAM 芯片组成，通过精密的地址/命令/控制总线与数据总线进行组织，确保了大规模数据阵列的稳定访问。
该模块的核心运行速率为 667MT/s（每秒百万次传输），对应时钟频率为 333MHz。其工作电压为标准的 1.8V，相比前代 DDR 技术显著降低了功耗与发热。模块支持 ECC（错误校验与纠正）功能，能够检测并修正单位元错误，检测双位元错误，这对于要求高可靠性与数据完整性的计算环境至关重要。此外，它内置了片上终结（ODT）功能，有助于优化信号完整性，减少主板布线的复杂性，并提升在高速运行下的稳定性。
在接口与关键参数方面，该模块遵循 JEDEC 标准的 DDR2-667（PC2-5300）规范。其 240 针 DIMM 接口定义了详细的电源、地、地址、命令、控制和数据信号引脚布局。除了容量和速度，其时序参数（如 CL、tRCD、tRP）也经过优化，以在给定的频率下实现较低的延迟。对于需要可靠供应链与本地技术支持的客户，可以通过美光中国代理获取该产品及相关服务。
MT36HTF25672FY-667B3E3 主要面向企业级与高性能计算应用场景。其 2GB 的容量和带 ECC 的可靠性设计，使其非常适合用作服务器、工作站、网络通信设备以及高端工业控制系统的内存扩展。在这些场景中，它能够为数据库处理、虚拟化、科学计算及关键任务应用提供稳定的高带宽内存支持，是构建可靠数据中心基础设施和耐用工业平台的经典内存解决方案之一。
