


MT36HTF25672PY-667D1是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能DDR2 SDRAM内存模组,采用标准的240针双列直插内存模块(DIMM)封装。该模组基于先进的DDR2架构设计,其核心由多颗高密度DRAM芯片组成,通过精密的内部互连与寻址逻辑,构建出总容量为2GB的存储阵列。其架构支持双倍数据速率传输,在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据读写操作,从而在相同的物理时钟频率下实现更高的数据传输带宽,有效提升了系统内存子系统的整体性能。
该模组具备多项关键功能特性。其运行速率为667MT/s(百万次传输每秒),对应的时钟频率为333MHz,能够提供高达5.3GB/s的理论峰值带宽,显著缓解了处理器与内存之间的数据瓶颈。严格的时序控制和信号完整性设计确保了在高速运行下的数据可靠性。模组支持ECC(错误校验与纠正)功能,能够检测并修正单位元错误,检测双位元错误,这对于要求高可靠性和数据完整性的服务器、工作站等应用至关重要。此外,其工作电压为1.8V,相比早期的DDR内存降低了功耗,并集成了片内终结(ODT)等特性,有助于简化主板设计并优化信号质量。
在接口与电气参数方面,该模组采用240-pin DIMM接口,完全符合JEDEC针对DDR2注册式内存模组(RDIMM)的标准规范。其内部组织方式、延迟时序(如CL、tRCD、tRP等)均经过优化,以匹配667MT/s的速度等级。稳定的电气特性使其能够在规定的工业级或商业级温度范围内可靠工作。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过美光中国代理获取该产品的详细信息、采购渠道以及相关的设计支持服务。
鉴于其2GB容量、667MT/s速率以及ECC纠错能力,MT36HTF25672PY-667D1非常适用于对稳定性和容量有较高要求的企业级计算环境。典型应用场景包括但不限于:中低端服务器、高性能工作站、网络存储设备(NAS/SAN)、通信基础设施以及需要大内存缓冲的工业控制计算机。在这些领域,它能够为数据库运行、虚拟化、科学计算和关键业务应用提供坚实、可靠的内存扩展解决方案。
