Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT36HTF51272PY-667E1是一款由美光科技（Micron Technology）设计生产的高性能DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用240针RDIMM（Registered Dual In-line Memory Module）封装形式，其核心架构基于DDR2（Double Data Rate 2）同步动态随机存取存储器技术。RDIMM设计集成了地址与控制信号的寄存器（Register），有效减轻了内存控制器在驱动多内存模块时的电气负载，从而提升了信号完整性与系统稳定性，尤其适用于多通道、高容量配置的服务器及工作站平台。
该模块的功能特点突出体现在其4GB的大容量存储与667MT/s的数据传输速率上。667MT/s的速度意味着其I/O接口在每个时钟周期可进行两次数据传输，有效数据带宽得到显著提升。模块采用双列直插式封装，其内部由多颗DDR2 SDRAM颗粒组成，通过精密的PCB布线确保高速信号传输的可靠性。其工作电压为标准的DDR2电压（通常为1.8V），在提供高性能的同时也兼顾了功耗控制。对于需要可靠供应链的客户，可以通过美光授权代理获取正品保障与技术支持。
在接口与关键参数方面，MT36HTF51272PY-667E1严格遵循JEDEC标准规范。其240-DIMM接口定义了详细的电气特性、时序参数与物理尺寸。模块支持ECC（Error Correction Code）错误校验与纠正功能，这对于要求数据完整性与系统可靠性的关键应用至关重要。其时序参数（如CL、tRCD、tRP等）针对667MT/s的速率进行了优化，确保了在指定频率下的稳定运行。模块的SPD（Serial Presence Detect）芯片存储了所有的配置信息，便于系统BIOS自动识别并优化设置。
该内存模块的典型应用场景集中于企业级与高性能计算领域。它非常适合作为服务器、数据中心服务器、高性能工作站以及网络存储设备（NAS/SAN）的主内存。在这些场景中，系统往往需要处理海量数据、运行虚拟化环境或承载关键数据库，对内存的容量、带宽以及长期运行的可靠性有着严苛的要求。MT36HTF51272PY-667E1凭借其注册式设计、大容量和稳定的667MT/s性能，能够有效支撑这些应用的平稳运行，是构建稳定、高效企业级计算平台的核心组件之一。
