Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT36HTF51272PZ-80EH1是一款由美光科技（Micron Technology）设计生产的高性能DDR2 SDRAM内存模组，采用先进的DRAM核心架构。该模组基于双倍数据速率第二代同步动态随机存取存储器技术，其内部由多颗高速DRAM芯片并行组成，通过精密的行列地址译码和预取架构，实现了每个时钟周期内在上升沿和下降沿各传输一次数据，从而在相同的物理时钟频率下将有效数据传输速率提升一倍。其核心设计旨在提供高带宽、低延迟的数据访问能力，以满足对内存性能有严苛要求的计算环境。
该模组具备多项突出的功能特性。其标称数据传输速率高达800MT/s（百万次传输/秒），对应时钟频率为400MHz，能够为系统提供充沛的内存带宽。其总存储容量为4GB，通过高密度DRAM芯片集成实现，为运行大型应用程序、数据库和虚拟化环境提供了充足的存储空间。该产品采用带寄存器的DIMM（RDIMM）设计，集成了地址命令与控制信号的寄存器，有效改善了信号完整性，减少了电气负载对内存控制器的影响，从而支持在服务器和工作站等需要高稳定性和大容量内存配置的系统中使用更多数量的内存模组。
在接口与关键参数方面，该模组采用标准的240针RDIMM封装形式，工作电压为标准的DDR2 1.8V，有助于控制功耗与发热。其时序参数（如CL、tRCD、tRP等）经过优化，以匹配800MT/s的速度等级，在提供高带宽的同时保证了可靠的访问延迟。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的Micron代理商获取此型号产品及相关服务。这些参数共同定义了模组与主板内存控制器之间的电气和协议接口，确保了系统的兼容性与稳定性。
基于其高带宽、大容量和RDIMM的稳定设计，MT36HTF51272PZ-80EH1主要面向企业级和关键业务应用场景。它是构建传统企业服务器、数据中心服务器、高性能工作站以及网络存储设备（NAS/SAN）的理想内存解决方案，尤其适用于需要处理大量并发交易的数据服务器、运行虚拟化软件的主机以及执行复杂科学计算或工程仿真的计算平台。其设计满足了这些场景对系统可靠性、数据吞吐量和最大内存配置能力的严格要求。
