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MT36HTJ51272Y-40EA2

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MT36HTJ51272Y-40EA2技术参数详情:

MT36HTJ51272Y-40EA2是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR2 SDRAM内存模组,采用标准的240针双列直插内存模块(DIMM)封装。该模组基于成熟的DDR2架构,其核心设计旨在通过4位预取架构和差分选通(DQS)技术,在400 MT/s的数据传输速率下,有效提升内存带宽并降低系统延迟。其内部由多颗高密度DDR2 SDRAM芯片组成,通过精密的PCB布线与电气设计,确保信号完整性,满足服务器和工作站对内存子系统稳定性的严苛要求。

该模组具备4GB的大容量存储空间,能够为多任务处理、大型数据库应用以及虚拟化环境提供充足的内存资源支持。其工作电压为标准的1.8V,相较于前代DDR技术,在提供更高性能的同时实现了更低的功耗,有助于优化系统整体能效。模组内置片上终结(ODT)功能,可以简化主板设计,改善信号质量。此外,它支持ECC(错误检查和纠正)功能,能够检测并修正单位元错误,对于要求高可靠性和数据完整性的关键业务应用至关重要,这也是其区别于普通消费级内存的核心特性之一。

在接口与参数方面,该模组遵循JEDEC标准的DDR2-400规格,其时钟频率为200MHz,通过双倍数据速率技术实现等效400MT/s的数据传输速率。240针的DIMM接口是服务器平台的通用设计,确保了广泛的硬件兼容性。其时序参数(如CL、tRCD、tRP等)经过优化,以在既定频率下实现平衡的性能与稳定性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过正规的美光中国代理获取此产品,以确保原装正品和后续服务。

MT36HTJ51272Y-40EA2主要面向企业级计算环境,是构建或升级旧款服务器、工作站、网络存储设备以及高性能计算节点的理想选择。它适用于运行数据库服务器、文件服务器、虚拟化主机(如VMware ESXi、Hyper-V)以及需要大容量、高可靠性内存的工业控制与通信设备。这款模组能够有效提升这些系统的多任务处理能力和数据吞吐量,保障长时间稳定运行,满足企业IT基础设施对性能与可靠性的双重需求。

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