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MT36VDDF12872G-262G3

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MT36VDDF12872G-262G3技术参数详情:

MT36VDDF12872G-262G3是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能DDR SDRAM内存模块,采用标准的184针双列直插内存模块(DIMM)封装。该模块基于成熟的DDR(双倍数据速率)架构设计,其核心工作机理在于在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据传输,从而在相同的时钟频率下实现相较于传统SDRAM翻倍的有效数据带宽。这种设计使其能够在系统总线与内存控制器之间建立高效、稳定的数据交换通道,满足对内存带宽有较高要求的计算环境。

该模块具备1GB的存储容量,能够为系统提供充裕的数据暂存空间,支持复杂应用和多任务处理。其标称运行速度为266 MT/s(百万次传输/秒),对应的时钟频率为133MHz,凭借DDR技术实现了等效于266MHz的数据传输速率。这一性能指标确保了在数据密集型操作中能够维持流畅的响应,减少因内存带宽瓶颈导致的系统延迟。模块的电气特性和信号完整性经过优化,以保障在持续高负载运行下的稳定性和可靠性,这对于企业级和工业级应用至关重要。

在接口与参数方面,该模块严格遵循JEDEC标准规范,其184-DIMM封装形式是早期DDR内存系统的典型物理接口,确保了与相应主板插槽的广泛兼容性。工作电压通常为标准的2.5V,在提供性能的同时也考虑了功耗控制。时序参数(如CL、tRCD、tRP等)经过精心调校,以匹配其266MT/s的速度等级,从而在延迟与带宽之间取得良好平衡。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过正规的美光芯片代理渠道获取该产品及相关服务。

MT36VDDF12872G-262G3主要面向需要可靠内存升级或系统维护的特定应用场景。它非常适用于基于早期DDR架构的企业级服务器、工作站、网络通信设备以及工业控制计算机的系统内存扩展或替换。在这些领域,设备的长期稳定运行和生命周期支持是关键考量,该模块的标准化设计和美光的品质保障使其成为延续旧系统生命、降低总体拥有成本的理想选择。此外,它也适用于一些对成本敏感且性能要求适中的嵌入式系统和特定功能的测试平台。

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