Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT36VDDF12872G-40BG3是一款由美光科技（Micron Technology）推出的高性能DDR SDRAM内存模块。该模块采用标准的184针双列直插内存模块（DIMM）封装形式，其核心架构基于成熟的DDR（双倍数据速率）技术。通过在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据传输，它在不提升核心时钟频率的前提下，有效实现了数据传输带宽的翻倍，为系统提供了高效的数据吞吐能力。其内部由多颗高速DDR SDRAM芯片组成，通过精密的地址/命令总线和数据总线进行协同工作，构成了总容量为1GB的存储阵列。
该模块的功能特点突出体现在其400MT/s的数据传输速率上，这一速率指标确保了在服务器、工作站等高要求计算环境中能够满足大数据量实时处理的需求。其设计严格遵循JEDEC标准，保证了与主流平台芯片组的广泛兼容性和运行的稳定性。模块内置的串行存在检测（SPD）芯片，能够自动向主板BIOS报告模块的时序参数，实现即插即用的便捷部署。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的美光中国代理获取原装正品和技术支持。
在接口与关键参数方面，MT36VDDF12872G-40BG3采用184针DIMM接口，工作电压为标准DDR电压2.5V。其400MT/s的传输速率对应着200MHz的I/O时钟频率，并支持CAS延迟等可编程时序参数，允许系统根据性能需求进行优化配置。模块的物理设计和电气特性均针对长时间的稳定运行和良好的信号完整性进行了优化，能够承受商业温度范围下的持续工作负载。
基于其1GB的容量和400MT/s的稳健性能，MT36VDDF12872G-40BG3非常适合应用于对可靠性和兼容性有较高要求的领域。典型应用场景包括企业级入门服务器、网络存储设备（NAS）、工业控制计算机以及特定型号的台式工作站和高端商用台式机，用于承担操作系统、应用程序缓存和关键数据缓冲等任务。它为这些系统提供了成本效益平衡的内存升级或替换解决方案，有效延长了既有平台的生命周期。
